PIN型硅半导体探测器以其优异的抗辐照性能在实验研究中具有广泛的应用。但所有半导体探测器在受高能粒子辐射时,都会在半导体材料中产生各种辐射损伤缺陷,对探测器的性能产生不利的影响,如:分辨率下降,正反向电阻的下降,漏电流增大,非线性度增加等。光电探测器在探测激光信号时,会受到损伤,这将大大限制了光电探测器的探测作用。针对军事上光电对抗的需求,本文对强激光对光电探测器的激光损伤这一研究课题进行了基础性研究工作。论文从激光与光电探测器的相互作用的机理出发,探讨了光电探测器的三种激光损伤效应,并研究了在探测器受到损伤的情况下,响应度的变化。通过实验,得出了探测器响应度与激光功率密度和能量密度的关系。研究发现随着激光能量的增加,光电探测器逐渐饱和,继续增加激光能量,探测器将发生软损伤,响应度下降,进一步加大能量将发生硬损伤,最终探测器的响应度降为零。本文结合表面形貌和响应度的变化,确定了在探测器发生了软损伤和硬损伤时,探测器响应度的阈值。为判断探测器损伤阈值的研究提供了一种切实有效的方法。论文对光电探测器的激光损伤进行了实验研究,这些工作对光电探测器的激光损伤和抗损伤的进一步研究工作有重要意义。