本论文研究了以V₂O₅为原料,通过化学液相沉淀法再加真空热处理法制备未掺杂和掺钨VO₂粉体的工艺技术,在此基础上以所制备粉体为原料制作VO₂靶材,通过磁控溅射工艺再加真空热处理工艺制备了VO₂薄膜。采用XRD、TEM、DSC和实时的温度-电阻测试等手段研究表征了未掺杂和掺钨VO₂粉体的结构及电阻-温度特性。采用XRD和实时的温度-电阻测试等分析手段研究表征了VO₂薄膜的结构及电阻-温度特性。对所制备的未掺杂粉体研究发现:以V₂O₅和Na₂SO₃为原料,通过液相沉淀法和真空热处理方法可以制得单斜VO₂粉体,所得的VO₂粉体其相变温度为68.2℃。相变前后,电阻将发生突变,相变前后电阻突变接近10⁴。对所制备的掺钨粉体研究发现:化学液相沉淀法加上真空热处理法可以制备出掺杂VO₂粉体,掺W可明显降低VO₂的相变温度,且随着掺W量的增大,VO₂相变温度降低,当W/V为6%时,相变温度降低了31.3℃,但同时相变前后的电阻率比值也随之降低。对所制备的VO₂薄膜研究发现:以自制的VO₂粉体制作靶材,使用射频磁控溅射技术与真空热处理工艺可以制得单斜VO₂薄膜,制备工艺中主要影响因素是真空热处理温度,其次为真空热处理时间、射频溅射功率及氩气压强,制备VO₂薄膜较好的工艺参数为:真空热处理温度430℃,真空热处理时间1h,溅射功率70W,氩气压强为2Pa。按上述较佳工艺参数制备出的VO₂薄膜电阻突变率接近10²。