多晶硅薄膜材料具有制备简单、掺杂可控、工艺兼容性好高等优点,可用于制作电阻、二极管、三极管、熔丝等结构器件,被广泛地应用于功率器件及功率集成电路。该材料制作的多晶硅二极管具有同体硅相似的温度特性,可以用来进行温度采样,应用于具有过温保护的智能功率器件。鉴于此,本文进行了多晶结构器件(多晶硅二极管、多晶硅三极管)的温度特性研究,并把研究的多晶硅二极管用于一款具有过温保护功能的智能功率器件。包括以下内容：1.分析了多晶硅薄膜的电学特性,基于这种特性分析了多晶硅二极管及三极管的导电原理,推导出多晶硅二极管与三极管的温度特性。然后用工艺模拟软件设计了横向多晶硅二极管及三极管,对它们的温度特性进行仿真分析,验证了多晶硅二极管的正向导通电压具有负温度系数,计算出所设计的多晶硅二极管的正向压降的温度变化率为-1.42mV/℃。多晶硅三极管的电流增益具有正温度系数,大电流下的电流增益随温度的变化比小电流情况小,该三极管具有和体硅相同的温度特性。2.利用多晶二极管的负温度特性进行温度采样,应用于一款智能功率VDMOS的过温保护电路中。仿真表明：当VDMOS的栅源电压为10V时,过温保护的开启点为164℃,关断自启动点为144℃,迟滞温度为20℃。由此可知,多晶硅二极管可以很好地作为热敏器件在具有温度保护的智能功率集成电路和智能功率器件中应用。