【摘 要】
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该论文采用溶胶—凝胶工艺利用旋转法在玻璃表面上制备了SnO薄膜.研究了影响SnO薄膜光电性质的各种因素及Sb、F和Cd的掺杂对SnO薄膜光电性质的影响.利用椭圆偏振光测厚仪、可
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该论文采用溶胶—凝胶工艺利用旋转法在玻璃表面上制备了SnO<,2>薄膜.研究了影响SnO<,2>薄膜光电性质的各种因素及Sb、F和Cd的掺杂对SnO<,2>薄膜光电性质的影响.利用椭圆偏振光测厚仪、可见—紫外分光光度计、红外分光光度计、扫描电镜、X射线衍射仪等测试手段,测定了薄膜的厚度、透过率、结构、表面形貌及晶相.分别讨论了薄膜厚度、回流时间、底膜及反应条件四方面与SnO<,2>薄膜光电性质之间的关系.探讨了掺杂Sb、F和Cd对光电性质的影响.结果表明:未掺杂的SnO<,2>薄膜,表面电阻可达5×10<4>Ω,最高透过率达到90﹪左右;当掺杂锑1.5mol﹪、氟2.5mol﹪、镉5mol﹪时,SnO<,2>薄膜的表面电阻可达2~4×10<4>Ω,最高透过率也可达到90﹪左右;当掺杂的SnO<,2>薄膜涂两层,热处理温度为500℃时,SnO<,2>薄膜的透光性能最好.
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