BaTiO<,3>半导瓷改性机理及高性能材料研究

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1950年Phillips公司的P·W·Haagman等人发现施主掺杂的BaTiO<,2>半导瓷材料具有PTCR效应,半个世纪以来,PTCR效应的理论及应用研究得到较快发展.Heywang-Jonker势垒模型、Daniels钡缺位扩散模型及叠加势垒模型较好地解释了PTCR效应的有关实验现象,使得PTCR效应的理论研究日臻成熟.以BaTiO<,2>半导瓷材料为基础而发展起来的PTCR热敏元件已广泛应用于通信、家电、汽车、航天等领域,成为铁电陶瓷中继电容器及压电器件之后的第三大类应用产品.针对BaTiO<,2>半导瓷目前理论及应用方面存在的主要问题,该文对其改性机理进行了系统的理论及实验研究,制备了低电阻率、高抗电强度、高性能BaTiO<,2>半导瓷材料,完成了国家"863"计划项目及多项模向合作项目.
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