集成电路产业已成为进入千家万户的、与国民经济、国防建设、国家安全息息相关的战略性产业。中国集成电路市场呈三个问题：规模大，增长快和外贸逆差严重。在此背景下面对国内外的竞争，中芯国际致力于研发65 nm具有我国自主知识产权的核心技术，为我国集成电路产业的可持续发展奠定坚实的基础。本文主要分析和研究了65纳米制程产品良率的提升以及所用到的方法。对于一个新的制程技术的研发，与通常量产的产品良率提升方式是不同的。在早期的阶段，很多工艺整合和随机微粒缺陷不能被WAT或者线上的检测defect的机台检测到。我们需要根据不同的时期，找到适合这个时期的新的分析方法。与此同时很多复杂的问题往往同时出现，这就需要我们找到合适的方法分析其中单一的主要问题，然后逐一解决其他的问题。所以EFA，PFA, DFA,的分析手段变的尤为重要。本文从三个阶段分析了65nm制程产品良率的提升以及失效分析方法。在产品研发的初期阶段，为了找出工艺上的和器件相关的问题，而且排除随机颗粒缺陷和设计的影响，小容量的SRAM存储器是一个不错的选择。本文的第一个部分就讨论了利用1M SRAM产品零良率是如何分析及提高良率的。第二个阶段为综合利用EFA,PFA及DFA的分析方法找到失效原因的。第二个阶段nanoprober成为找到缺陷问题的主要工具。第三阶段为Vccmin的改善,在这方面将运用各种分析手段发现并分析问题.以及导入客户产品开发，进一步完善产品的制程，并为SMIC对外代工提供一个被验证的产品开发平台。