Fano共振(FR),一种源自离散态和连续态的干涉效应产生的共振散射现象,与常见的对称共振线型不同,Fano线型表现出反常的不对称的线型。作为一种基本的物理现象,FR在许多物理领域中已被观测到。众所周知,在费米能级附近,石墨烯的电子能带结构是线性的、无能隙的,低能电子的动力学特征可以由二维Dirac方程描述。在本文中,通过使用解析和数值的方法,我们主要研究了在含有时间周期势的石墨烯体系中,光子辅助Dirac电子的Fano型共振隧穿。论文主要由以下四部分内容组成:在第一章中,我们首先介绍了二维石墨烯材料性质及电子能带特性,回顾了光子辅助电子输运,主要包括传统半导体异质结量子阱和石墨烯量子阱中的光子辅助电子隧穿的研究进展。接着介绍了 Fano共振效应的概念以及在研究电子输运过程中需要运用到的理论工具,如Floquet定理、散射矩阵(S矩阵)、传输矩阵。在第二章中,我们研究了无质量的Dirac电子通过周期双势阱的Fano型共振隧穿。之前的理论研究发现,在石墨烯静电势上加上周期振荡场,Dirac电子隧穿会有Fano型共振产生。我们的工作是将单阱势结构推广到双阱势结构,通过使用Floquet散射理论及散射矩阵方法,研究了 Dirac电子在石墨烯含时双阱势中的光辅共振隧穿。研究结果表明,与单阱势的情况不同,在双阱势结构中,由于电子在两个量子阱之间的薄势垒隧穿时会导致束缚态能级劈裂,Fano型共振谱会劈裂为两个不同的对称峰。同时,两个振荡场的相对相位会影响Fano型共振峰的形状。数值结果表明,Fano峰的线型可以通过振荡场的频率,振幅及静势阱的结构来调控。在第三章中,我们讨论了在磁场和含时周期势共同作用下有质量Dirac电子的Fano型共振隧穿。已有实验证实,在基底上外延生长的石墨烯可以打开能隙,诱导的能隙是由于石墨烯中A、B格子的等价性遭到破坏,并导致Dirac点处导带底与价带顶的简并性破除。由于能隙的打开,载流子的动力学特征则由有质量的Dirac方程描述。我们在Floquet散射理论基础上,使用散射矩阵方法计算了有质量Dirac电子在磁场调制下隧穿含时周期单势阱的电导。研究结果表明,当外加周期振荡场为低频振荡场时,磁场将会改变势阱束缚态能级结构,诱导多个Fano型共振峰的产生;而在高频振荡场作用下,有无磁场都会出现多个Fano型共振峰,但是磁场的引入使Fano型共振峰产生的机制发生变化。同时,磁场对新产生的Fano型共振峰具有压制作用。此外,我们还发现振荡场的强度会影响入射Dirac电子与势阱束缚态的干涉强度,从而导致Fano峰线型改变。在最后,我们对工作做了一个总结。