近年来,国内外对场发射的研究热度有增无减,尤其是在场发射显示器方面的研究。场发射阴极材料的选取十分关键,其中碳纳米管（CNT）及其复合物薄膜被认为是最具有研究价值和意义的阴极材料。本文研究的是碳纳米管及其复合薄膜的场发射性能,首先对纯碳纳米管薄膜的场发射性能进行了研究,然后对其与二硫化钼（MoS₂）复合阴极薄膜的场发射性能进行了研究,可具体为:（1）碳纳米管薄膜的场发射性能研究通过真空抽滤和双面导电胶带转移的方法制备了具有增强场发射性能的纯碳纳米管薄膜,通过调控碳纳米管分散液的浓度,制备出了不同形貌的有裂纹的碳纳米管薄膜,并对各个浓度的样品进行了场发射性能的测试。结合表征结果分析得出了其场发射性能增强的原因有以下几方面:1)双面导电胶带的使用,为裂纹的产生提供了力学方面的帮助,另外还增强了CNT薄膜与ITO玻璃基底间的粘附性,为优异的电流密度发射稳定性做出了一定的贡献;2)裂纹的产生拉开了多数碳纳米管发射体间的距离,这有利于降低发射体彼此间的场发射屏蔽效应;3)裂纹边缘出现的因薄膜表面断裂而暴露出来的碳纳米管尖端成为了新的电流发射位点,这增强了薄膜的平均场强。在这些因素的共同作用下,使得裂纹CNT阴极材料场发射器件表现出了优异的场发射性能。（2）二硫化钼/碳纳米管复合薄膜的场发射性能研究为了获得场发射性能增强的阴极薄膜,我们将目光投到了更广阔的范围,发现了有场发射性能的二维材料二硫化钼,并通过将二硫化钼与碳纳米管进行复合,得到了性能优异的场发射阴极薄膜。通过对比不同质量比例复合的薄膜间的场发射性能,我们得出了二硫化钼/碳纳米管复合薄膜增强场发射性能的原因如下:1)复合了CNT后,MoS₂与CNT之间形成了三维空间结构,提供了更多的场发射体接触面积;2)MoS₂大量的薄而尖锐的花边状独特纳米花结构,为场发射提供了更多的发射位点;3)合理的CNT与MoS₂复合质量比提供了合适的发射体数目从而降低了场发射屏蔽效应的影响。