基于三分之一模基片集成谐振器的带通滤波器和平面魔T的研究与设计

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随着无线通信事业的飞速发展,通信设备不断向着小型化、低成本、低损耗、更加便携方向发展。基片集成波导(SIW:Substrate Integrated Waveguide)在近些年中一直是研究热点。因其具有的高品质因数、高功率容量、小尺寸、易于加工等特点,在微波毫米波电路中有着非常广阔的应用。过去数十年中,已经大量文献对矩形、圆形基片集成波导进行了深入研究,而对于三角形基片集成波导的研究很少。与它们相比,三角形基片集成波导更具有结构紧凑、易于布局的特点,亟待开发。本文以三角形基片集成谐振器为研究出发点,提出了新型谐振器结构:三分之一模基片集成谐振器(One-third mode substrate integrated resonantor,OTMSIR),并在OTMSIR的基础上完成带通滤波器和平面魔T的设计。本文的研究工作主要包括以下几点内容:首先,介绍了基片集成波导的发展状况和基片集成技术在微波毫米波器件及电路中的应用情况,并介绍了基片集成波导、缺陷地结构和波导魔T的基础知识。接着,在三角形基片集成波导的基础上,提出OTMSIR。针对这个新型的谐振器,分别对其结构、主模谐振频率、品质因数和两腔之间的耦合系数进行了研究。然后,利用OTMSIR中的不同传播模式分别设计出单腔四模和多腔耦合带通滤波器。由于阻带抑制较差,通过添加缺陷地结构(Defeted ground structure,DGS)改善带外特性,从而达到带外抑制良好的要求。最后,进行了基于OTMSIR的多端口电路应用的研究。利用OTMSIR形状灵活的特点,设计出一个五边形的功率分配器。然后通过引入槽线,将此功率分配器升级成平面魔T。本文设计的基于OTMSIR的带通滤波器和平面魔T均加工成样品并进行了测试,通过与文献中已有的结构进行对比,得到基于OTMSIR的微波器件具有结构紧凑和带宽大的特点,表明OTMSIR非常适合应用于未来微波毫米波小型化宽带电路设计中。
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