本论文的研究工作是围绕以下项目展开的：新型光电子器件中的异质兼容集成与功能微结构体系基础研究(国家973计划项目,编号2010CB327600)、国家自然科学基金(编号6102010600和61077049)、新世纪优秀人才支持计划资助(编号NCET-08-0736).高等学校学科创新引智计划(111计划)(编号B07005)、北京邮电大学优秀博士基金(编号CX201213)。半导体纳米线pn结是构建纳米级器件的理想功能微结构之一。纳米线pn结的电学特性更是设计器件时需要考虑的重要参数。但是现阶段对于纳米线pn结电学性质的研究仍然比较匮乏,因此,本论文主要围绕GaAs纳米线pn结的电学性质展开理论和实验研究工作,主要研究成果如下：1、利用软件从理论上研究了衬底-纳米线型pn结阵列各参数对纳米线pn结阵列电学特性的影响。主要结论有：(1)纳米线的平均生长密度、纳米线的直径、纳米线的掺杂浓度和纳米线的长度对衬底-纳米线型pn结阵列的暗电流和开启电压的影响极小甚至几乎没有。(2)在衬底-纳米线型pn结阵列导通之后,通过pn结阵列的电流在一定范围内与纳米线的平均生长密度近似成正比例；增大纳米线的平均生长直径会使通过衬底-纳米线型pn结电流增大；在未达到重掺杂程度之前,纳米线掺杂浓度的提高会导致通过衬底-纳米线型pn结电流的增加；纳米线的长度会对衬底-纳米线型pn结的电流产生影响,增大纳米线的长度会引起通过衬底-纳米线型pn结电流的减小。(3)对于相同体积的衬底-纳米线型pn结阵列和经典层状pn结,在相同的正向偏置电压下,通过前者的电流更大。2、利用MOCVD生长出GaAs衬底-纳米线型pn结。实验表明：利用控制金溶胶滴取量的方法可以粗略控制纳米线的平均生长密度,利用控制生长时间的方法可以控制纳米线的平均长度。经过一定步骤的工艺处理制备出电极,然后对GaAs纳米线pn结的电学性能进行测试,结果表明：利用此方法制备出的GaAs衬底-纳米线型pn结阵列具有明显的正向导通反向截止的特性,导通电压约为O.7V。