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InxGa1-xN是一种重要的III族氮化物半导体材料,其带隙宽度随着In含量x的变化,可以在0.77 e V(x=1)到3.42 e V(x=0)之间连续可调,覆盖了整个可见光谱范围,已经被广泛应用于电子和光电子器件的制作。离子注入技术对于InxGa1-xN材料的掺杂改性,特别是实现P型掺杂可能具有重要的应用。但是离子注入会不可避免的在材料中产生辐照损伤,因此研究离子的辐照损伤效应对于离子注入技术的应用至关重要。相比于GaN,目前有关离子注入/辐照InxGa1-xN,尤其是高In组分InxGa1-xN(x>0.2)材料损伤效应的研究还十分有限,对于相关损伤过程及机理的认识尚不完全清楚。本工作分别使用5 MeV Xe和4 MeV Kr离子在室温下对纤锌矿结构的InxGa1-xN(0.32≤x≤1.0)薄膜进行了辐照,离子辐照量的范围为3×1011~6×1013 ions/cm2。辐照后,通过Raman光谱的测试对离子辐照导致薄膜结构以及载流子浓度的变化进行了研究。Raman光谱的研究发现:1)随着离子辐照量的增加,InxGa1-xN薄膜E2(high)和A1(LO)特征峰的半高宽逐渐展宽,同时A1(TO)和E1(LO)等禁戒峰的强度逐渐增强。通过使用E1(LO)与A1(LO)峰的强度比Dr来表征薄膜的相对无序度,结果发现相比In组分x低于0.7的InxGa1-xN薄膜,更高In组分的样品具有明显较高的Dr值,表明薄膜的抗辐照能力随着In组分的增加而减弱,这被归因于InxGa1-xN材料中辐照缺陷的动力学退火效率随着In组分的增加而降低;2)InxGa1-xN薄膜A1(LO)峰和E1(LO)峰的峰位随着离子辐照量的增加向低频方向发生了移动,表明薄膜中载流子的浓度随离子辐照而降低;3)在相同的辐照损伤剂量(dpa)下,Xe离子辐照InxGa1-xN薄膜的Dr值比Kr离子辐照InxGa1-xN薄膜的高,表明Xe离子辐照在薄膜中产生了更为明显的结构损伤,这是由于较重的离子在薄膜中容易产生缺陷密度更高的级联碰撞。本工作的研究结果表明对于室温Xe和Kr离子辐照,InxGa1-xN(0.32≤x≤1.0)薄膜在较低的离子辐照量(≤6×1013 ions/cm2)下便出现了明显的结构损伤和载流子浓度的降低。为了实现离子注入技术的应用,需要对更高温度下InxGa1-xN薄膜的辐照损伤行为进行研究。