近年来，感应耦合等离子体刻蚀(ICP刻蚀)技术随着MEMS的发展而变得愈加重要，得到了广泛的应用。比喻的说，现在ICP刻蚀还处在青少年时期，呈现出朝气蓬勃的势头，发展前景非常明朗，但是同时还不成熟，存在很多未知角落需要等待研究和发掘。为了使ICP刻蚀得到更好的发展和更广阔的应用，本文展开了研究。　　本文针对较为成熟的博世过程(Bosch Process)进行了详细周密的实验，对几个重要的刻蚀参数都进行了研究分析。其中包括参与刻蚀的气体的流量、反应腔室内的压强、反应腔室内的温度、基板偏压功率、线圈功率和平板功率等参数。研究并绘制了这些参数对刻蚀速率，选择比，形貌等的影响，制作了直观的折线图。用正交试验的方法获得了优化的刻蚀参数，并进行了实验。　　在采用博世过程刻蚀时，经常出现的现象包括Footing效应，Lag效应。Footing效应又称钻蚀效应。在SOI硅片的硅-绝缘体交接出，容易出现横向钻蚀。Lag效应又称负载效应，较宽的沟槽刻蚀速率快于较窄沟槽刻蚀速率的现象。由于博世过程的原理限制，侧壁上不可避免的会出现粗糙的细纹，需要一些解决办法来减小这些细纹，是侧壁变得更加光滑。上述问题在本文中都提到了解决方法。　　与成熟的博世过程相比，还有一些应用比较广泛的ICP刻蚀工艺，这里面的佼佼者是低温硅刻蚀工艺(Cryogenic Silicon Etching)。低温硅刻蚀工艺能够获得比博世过程更光滑的侧壁，同时刻蚀速率相近。因为需要零下一百摄氏度左右的低温，所以在应用中不及博世过程广泛。但是其在加工纳米尺度的器件的突出表现，使其获得了新的机会。　　ICP刻蚀的应用越来越广泛，比如加工纳米尺度的线条和沟槽，加工有一定倾角的光学微镜结构等。在微光机械系统(MOEMS)、纳机械系统(NEMS)中得到应用空间。随着MEMS、NEMS、MOEMS的发展，ICP刻蚀技术的应用也会更加广泛。ICP技术的发展，也会推动MEMS、NEMS、MOEMS的蓬勃发展。