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沸石分子筛膜是近10年来发展起来的一种新型无机膜,具有孔径小而均一、硅铝比可调节、骨架中的硅或铝原子可被其他杂原子取代等特性,可用于吸附分离、化学传感器以及催化反应中。在沸石膜的合成过程中,载体表面的性质会强烈地影响沸石膜的生长,表现出沸石膜对载体的敏感性。为此,载体表面性质与沸石膜之间的关系是人们在沸石膜合成研究中的一个热点,也是沸石膜广泛应用的一个重要前提。本论文主要在以下几个方面进行了研究:1.采用原位水热法,分别以TEOS与硅溶胶为硅源,在玻璃片和石英晶片表面上合成了Silicalite-1沸石膜。考察了不同硅源和不同载体对Silicalite-1沸石膜合成的影响。实验结果表明,在相同的合成配比下,以玻璃片为载体时:TEOS较硅溶胶更易于得到完全b轴定向的Silicalite-1沸石膜。以石英晶片为载体时:硅溶胶较TEOS更易于合成出Silicalite-1沸石膜,但不是完全b轴定向。2.利用石英振子的压电效应,设计并搭建了QCM传感器。考察经过沸石膜修饰后,石英振子起阵频率与沸石膜厚度的关系以及焙烧过程对石英振子的影响。实验结果表明,最佳的起振条件是:Silicalite-1沸石膜,膜厚度为2μm,起振频率为5.45MHz。在沸石膜的焙烧的过程中,石英振子出现了金电极的脱落现象,影响了导电性能。为此,我们提出了一套先生长沸石膜后溅射电极的解决方案,为后续工作打下了基础。3.以TPABr为模板剂,合成出了粒度均匀的大尺寸H-ZSM-5,并在其表面水热合成了Silicalite-1沸石膜。考察了合成条件和合成液配比分别对大尺寸H-ZSM-5合成以及其表面Silicalite-1沸石膜合成能够的影响。实验表明:大尺寸H-ZSM-5的最佳合成酉己比为SiO2:Al2O3:TPABr:NH4:H2O=100:1:25.3:185:2400,晶化温度为170℃,晶化时间为7天。Silicalite-1沸石膜的最佳合成配比为SiO2:TPAOH:H2O=1:0.34:111,晶化温度为180℃,晶化时间为5h。使用Ti试剂对大尺寸H-ZSM-5表面进行处理可以大幅提高Silicalite-1在H-ZSM-5表面的覆盖度。