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Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物氮化镓(Ga N)是第三代宽禁带半导体材料的核心成员,具有直接宽带隙(3.39e V)、耐高温、耐腐蚀、电子迁移率高等优点,从而被广泛应用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、高电子迁移率晶体管(HEMT)和太阳能电池等领域。单晶硅是现代电子工业与信息产业的最重要的基础材料,硅平面工艺已经相当成熟。因此,将Ga N与Si结合对于未来研制Ga N集成器件有巨大的应用潜力。随着纳米技术的发展,材料在纳米尺度上展现出了许多区别于体材料的特性,另外,将Ga N和Si进行纳米结构化之