晶硅尾料提纯过程中SiC颗粒迁移及长大研究

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太阳能级硅是光伏行业的关键基础材料,其可通过铸造法和直拉法获得铸造多晶硅和直拉单晶硅,然而,由于制备过程中不可避免地存在C、N及金属杂质的污染,多晶硅锭和单晶硅棒中约有20%区域无法直接利用,形成了晶硅尾料。开发针对晶硅尾料的提纯技术对光伏行业的可持续发展意义重大,因此,本论文选取晶硅尾料中常见的SiC颗粒夹杂物为研究对象,通过电磁感应熔炼耦合定向凝固技术,系统研究了SiC颗粒在硅熔体的迁移行为及长大机制,提出了针对晶硅尾料中SiC颗粒分离的最佳工艺。本论文得到的主要结论如下:(1)在硅熔体中引入电
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