非晶碲镉汞薄膜因其短程序而与晶态材料有类似的能带结构，在短波有很高的吸收系数，且材料具有生长对衬底无选择性、生长成本低、易于与读出电路集成等优势而具有很大的应用潜力。本论文深入分析了材料的微观结构、形貌、热稳定性、退火热处理和测试用原理性器件制作等等，研究了各组分以及掺杂非晶碲镉汞的温差电动势率、直流电导、光电导等，进而研究材料的导电类型、掺杂效应、光生载流子的复合机制、薄膜的热敏性能以及薄膜的导电通道等等。　　 非晶碲镉汞薄膜的电学性质与其微观结构和掺杂浓度有密切关系，而这两项又和非晶碲镉汞薄膜的制备过程相关。对于不同的制备技术和条件，不同的掺杂情况，非晶碲镉汞的温差电动势率和电导率与温度的依赖关系不同，而且变化较大。因而电导率与温差电动势率的测量是研究非晶碲镉汞输运特性的灵敏工具，特别是用来确定非晶材料的导电类型。　　 各组分的非晶碲镉汞薄膜属于高阻材料，测试温差电动势率也需要把薄膜制备成简单测试器件，在屏蔽室进行微弱信号测试。研究发现非晶碲镉汞薄膜是n型半导体，320K附近材料的导电通道由扩展态到带尾带传导，掺In0.5％非晶态薄膜改变了导电类型。　　 直流电导与光电导测试也需要把薄膜制备成I-V原理性器件，将器件封装到杜瓦瓶中测试变温直流电导与光电导。研究直流电导和光电导随衬底材料、温度、组分、热处理和掺杂浓度的依赖关系，得出非晶薄膜的光敏性，掺杂效应、载流子的导电通道、光生载流子的复合机制等。　　 本文的研究工作得到了某“973”重大国防项目和国家自然科学基金面上项目“非晶态碲镉汞薄膜制备与光电特性研究（60576069）”的支持。