半导体激光器因其体积小,结构简单,输入能量低,转换效率高,寿命长,易于调制并且经济实用等优点,成为当今半导体光电子科学的核心技术。由于半导体激光器的输出功率不断提高,对其腔面的可靠性及腔面薄膜的抗激光损伤阈值的要求也越来越高,许多学者也对半导体激光器的腔面膜进行了研究,发现不同制备工艺以及薄膜材料的选择均与半导体激光器的腔面膜的激光损伤密切相关。本文采用了离子束辅助电子束蒸发的制备工艺,分别制备了半导体激光器腔面膜的单层膜材料以及增透膜和高反膜,为了研究半导体激光器腔面薄膜的抗激光损伤能力,我们主要作了以下工作:1.以980nm半导体激光器为例,根据光学薄膜的基本理论,为提高腔面膜的抗激光损伤能力,我们首先对激光器腔面膜的膜系结构进行了优化设计,其中增透膜反射率达2.8%,高反膜的反射率最高达到97%,符合半导体激光器腔面膜的设计要求;2.我们主要研究了后腔面高反膜的抗激光损伤能力。针对容易形成低价氧化物薄膜的TiO₂薄膜进行了损伤阈值测试,并和折射率较高的Ta₂O₅薄膜进行了损伤阈值对比实验。结果发现,TiO₂薄膜的抗激光损伤阈值高于Ta₂O₅薄膜。3.对于损伤阈值较高的TiO₂薄膜,我们进行了制备工艺方面的优化,为减少蒸发镀膜过程中TiO₂薄膜的失氧情况,我们在氧压相同的条件下,改变了氧气的流量,分别为16.7sccm和20.7sccm。分别测试了其抗激光损伤阈值,发现氧流量为20.7sccm的TiO₂薄膜损伤阈值更高一些,达到2.75 J/cm²,高于氧流量为16.7sccm的TiO₂薄膜的损伤阈值2.66 J/cm²。4.为了进一步提高TiO₂薄膜的抗激光损伤阈值,我们又对上述损伤阈值更高的TiO₂薄膜（氧气流量为20.7sccm）进行了退火处理,目的是减小薄膜中的缺陷含量,改善薄膜化学计量比,得到更致密且抗激光损伤阈值更高的薄膜。从测试的光学特性,包括折射率、反射率以及退火前后的吸收谱来看,氧气流量20.7sccm的TiO₂薄膜退火后抗激光损伤阈值增长到3.52 J/cm²,较退火前提高了27.8%。综上,我们着重从制备工艺方面对980nm半导体激光器腔面膜材料的抗激光损伤阈值进行研究,通过退火处理减小了薄膜的缺陷及吸收,提高了TiO₂薄膜的抗激光损伤阈值,改善了半导体激光器腔面抗激光损伤能力及腔面膜的可靠性。