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近些年来,Si作为电子行业的主要材料,已经达到了其窄带隙、低导热率和低临界电场的物理极限。SiC作为第三代半导体材料,因其具有宽的禁带、高的热导率、高的临界击穿电压、高的电子速度饱和和抗辐射,从而适合做高频、高温和抗辐照的电子器件。在电力运输方面,由于SiC固有的性质,在功率转换方面会降低能量的损耗。相比于传统的Si中子探测器,SiC中子探测器具有抗高温和耐辐照等优点,因此适用于核反应堆、高能物理实验和外太空等高温高压以及强辐射等极端环境中的中子监测。而利用三维结构,具有高深宽比SiC结器件阵列,所制备的3维SiC中子探测器,能有效地提高探测器的探测效率。针对所设计的三维SiC二极管,本文详细介绍了其所应用的基本工艺,包括干法刻蚀和离子注入。由于SiC材料的稳定性,不宜采取湿法刻蚀,所以采取干法刻蚀来刻蚀沟槽和隔离槽。相对于扩散,离子注入更适合SiC的掺杂。对于SiC的p型掺杂,Al更适合做掺杂剂。且在中等温度进行离子注入时,可以降低其电阻率。本文详细研究了金属和半导体的接触理论,及比接触电阻的三种测量方法。对于p型和n型SiC材料形成欧姆接触的原因也做了一定的解释。在实验室现有的工艺条件下进行三维SiC二极管的工艺研究。主要进行了光刻、金属蒸镀、干法刻蚀、离子注入和p型欧姆接触的研究。其中对SiC的干法刻蚀做了重点的研究,分别研究了工作压强、ICP功率、RIE功率和气体流量的比例对刻蚀后样品表面粗糙的影响。分析和确定了相关的工艺参数,并最终制订了三维SiC二极管的一整套工艺流程。