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GaN材料和第一代的Si、第二代的GaAs相比,具有高的击穿电场、宽的禁带宽度、高的饱和电子漂移速度等独特的优势。加上在GaN材料和AlGaN材料形成的异质结结面处会形二维电子气,该电子气具有高浓度和高电子迁移率的特性,这使得GaN材料在功率电子器件的应用方面非常具有潜力。但是基于目前的研究表明,实验制作的AlGaN/GaN HEMT器件由于器件缓冲层中的背景载流子浓度高、栅极附近电场集中等原因使得器件提前击穿,未能充分的发挥出GaN材料的高耐压的优势。本论文在通过大量的文献调研并总结分析后,结合经典的理论分析加上使用Sentaurus的软件模拟仿真,研究了抑制或者避免器件提前击穿的两种结构。首先,仿真研究的是带浮空场板的AlGaN/GaN HEMT器件结构。场板技术是一种成熟的技术,工艺简单易于实现。模拟仿真表明,在引入了浮空场板后,AlGaN/GaNHEMT器件沟道中的电场分布更加均匀,击穿电压得到提高。并且浮空场板对器件的高频特性影响很小。浮空场板长度越短、距离越近,器件沟道内的电场分布越平坦,越能提高器件的击穿电压。和没有场板的器件击穿电压相比,带浮空场板的器件击穿电压从50V提高了到240V。其次,仿真研究的是带P型埋层的垂直AlGaN/GaN HEMT器件结构。相对于横向的AlGaN/GaN HEMT器件所具有的电流崩塌效应和缓冲层漏电效应的缺点,垂直的AlGaN/GaN HEMT器件都没有。但是典型的垂直AlGaN/GaN HEMT器件在器件承受高压时,在电流阻挡层、栅极、以及栅极和电流阻挡层之间的沟道处的泄漏电流使得器件的耐压不高,也没有发挥器件的高耐压特性。本文充分的对带P型埋层的AlGaN/GaN HEMT器件的工作机理进行了充分的研究,并提出了一种提高垂直器件击穿电压的新结构。并利用Sentaurus模拟仿真软件,对该新结构进行了模拟仿真。仿真表明,P型埋层中的浓度、长度、宽度、位置、层数都是十分重要的量并且浓度越大,层数越多,器件的击穿电压和优值提高的越多,如在引入了P型埋层后,器件的击穿电压从1680V提高到3050V。最后,对全文的工作进行了简要的总结。