薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)阵列制作中,由于ITO和Cu/Mo具有导电性高、材料成本低、对图形响应好等优点而得到广泛的应用。在TET-TCD的生产过程中,可控的精准刻蚀是一个非常重要的处理单元,一般要求刻蚀后薄膜锥角应在40°～60°之间,否则将造成产品不合格。目前,常用的ITO刻蚀液主要是由硫酸、硝酸和乙酸组成,Cu/Mo刻蚀液以双氧水和硫酸体系为主。不同薄膜及复合金属层的不同厚度均会增加准确控制刻蚀速率的难度。因此,开发性能优异的刻蚀液对ITO、Cu、Mo等金属薄膜片的生产具有重要意义。本实验通过相关的表征方法和电化学测试的方法,探究ITO、Cu、Mo在不同刻蚀液条件下腐蚀速率的变化情况,探究相应的腐蚀机理,以实现合格锥度角的稳定控制。通过控制变量法探究了单酸和混酸对ITO腐蚀结果的影响。试验结果表明,ITO刻蚀液中硫酸浓度提高更有利于锡的溶出,硝酸浓度提高更有利于铟的溶出,乙酸具有稳定酸度和缓冲溶液的作用。经过优化,最终确定ITO氧化薄膜刻蚀液的最佳配方为:硫酸(5%)、硝酸(16%)和乙酸(10%)。在金属铜和钼的腐蚀探究中,首先研究了金属铜和钼在双氧水和硫酸体系中的腐蚀速率。根据不同条件下的刻蚀结果,结合相关的XPS表征结果,发现双氧水和硫酸溶液共同存在是对金属铜和钼腐蚀的前提条件。双氧水的氧化性使金属表面形成氧化物,然后硫酸溶解金属表面的氧化物。考虑到双氧水的不稳定性,研究将硝酸代替双氧水,考察硝酸-硫酸溶液液对二种金属的刻蚀特性,发现硝酸与硫酸组成的刻蚀液能够高效稳定地对Cu/Mo薄膜刻蚀。在此基础上,对Cu/Mo复合金属层薄膜进行了刻蚀研究。通过调节刻蚀液不同组份的浓度来控制金属薄膜的腐蚀速率,以实现Cu/Mo薄膜的有效刻蚀。经过优化实验研究发现,双氧水/硫酸体系较优的配方为:双氧水5%～11%,硫酸1%～7%,磷酸二氢铵0.5%～2%,添加剂PSP 0.3%～1%范围值内。硝酸/硫酸体系的较优配方为:硝酸1%～7%,硫酸25%～35%,添加剂PSP 0.5%～2%范围内。优化后的二种刻蚀液均能使Cu/Mo玻璃基片腐蚀锥度角能够控制在要求范围之内。两者对比发现双氧水体系比硝酸体系刻蚀后的基板平面更干净无杂质粒子残留,而硝酸/硫酸体系刻蚀液更稳定便于保存。