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半导体薄膜可以广泛应用于光电领域,高c轴取向纳米柱状氧化锌(ZnO)可以减少光电子传输路径,降低电子-空穴对复合几率,大大增强ZnO半导体光电响应,是紫外传感、太阳能电池等领域的研究热点。然而,单一 ZnO薄膜由于较大的光生电子-空穴复合几率和低的界面电子转移效率大大的限制了其在光电领域的应用,而石墨烯作为一种零带隙半导体材料可以快速地转移半导体光生电子,避免电子-空穴对的复合,有助于半导体光电性能的提高。因此,石墨烯与半导体薄膜的复合被认为是解决上述问题的有效途径之一。针对目前高质量纳米柱状ZnO