软磁磁粉芯作为软磁材料系列重要组成部分具有独特的性能，被广泛用于电讯、雷达、电视、电源、太阳能发电等技术中作为电感滤波器、调频扼流圈、开关电源主振铁芯及逆变器，其工作频率可以从数十赫兹到兆赫兹范围。当今信息社会要求磁性器件向小型化、智能化、高集成化和超快速化等方向发展。磁粉芯具有高电阻、高频损耗低，高宽恒导磁等磁性能，使得其在许多应用场合是其它软磁材料难以比拟的。本文的研究工作是以粉末冶金生产工艺为基础，以传统磁粉芯的工业生产工艺过程为借鉴而进行的。系统研究了绝缘包覆、压制成型、去应力退火等制备工艺对FeSiAl磁粉芯和Fe74Cr2MO2Sn2P10C2Si4B4非晶磁粉芯磁性能的影响，制备出了性能较高的磁粉芯。运用改进工艺制备出性能较高的FINEMET纳米晶磁粉芯。在此基础上，研究了磁退火处理对三种金属软磁磁粉芯性能的影响。主要结论如下：　　 ⑴大粒度磁粉制备的FeSiAl磁粉芯的磁导率较大，损耗也很高。通过适当的磁粉粒度配比可以有效地降低磁粉芯的损耗，提高磁粉芯的频率特性。实验发现FeSiAl磁粉芯最佳的粒度配比为：-100～+150目占4％，-150～+250目占8％，-250～+320目占34％，-320目占54％。　　 ⑵有机+无机绝缘包覆方法适合制备高性能的金属磁粉芯。添加绝缘介质可提高磁粉芯的电阻率，降低涡流损耗，提高品质因数。绝缘介质过多会使磁粉芯中非磁性物质比例增大，磁导率降低。增加成型压力可以提高FeSiAl磁粉芯的压溃强度、密度、磁导率，降低矫顽力和损耗：但是过高的压力会使磁粉芯的磁导率降低。增加退火温度能够有效地提高FeSiAI磁粉芯的磁导率，降低磁滞损耗和矫顽力；过高的退火温度会增大磁粉芯的涡流损耗，降低磁导率。研究结果表明，FeSiAl磁粉芯的最佳制备工艺参数为：绝缘剂添加量为1.0％，成型压力为1800MPa，退火温度为660℃，退火时间为lh。相应的磁性能为：50kHz，0.05T下，磁导率为128，损耗低于80mW/cm3。该性能已达到国内领先水平。　　 ⑶磁场退火工艺对FeSiAl磁粉芯具有一定的影响。纵向磁场退火可提高磁粉芯的磁导率，降低损耗。横向磁场退火可降低磁导率和损耗。纵向磁场退火获得的磁粉芯性能较好。　　 ⑷研究发现，Fe74Cr2Mo2Sn2P10C2Si4B4非晶磁粉芯最佳的磁粉配比为：+200目占5％，-200～+250目占9％，-250～+320目占11％，-320～+500目占35％，-500目占40％。　　 ⑸非晶磁粉芯的涡流损耗和磁滞损耗均随绝缘剂添加量的增加而降低，其中涡流损耗降低幅度较大；绝缘剂添加量过高或过低都会降低非晶磁粉芯的磁导率。增大成型压力能够有效地增加非晶磁粉芯的磁导率，降低损耗和矫顽力，但成型压力过大，会降低非晶磁粉芯的性能。增加退火温度能够有效地增大非晶磁粉芯的磁导率，降低损耗。但退火温度过高会使非晶磁粉晶化，生成导电性较差的非磁性相，降低磁导率。　　 ⑹实验发现．Fe74Cr2Mo2Sn2P10C2Si4B4。非晶磁粉芯的最佳制备工艺参数为：绝缘剂添加量为5.O％，成型压力为1600MPa，退火温度为400℃，退火时间为lh。相应的性能为：4000kHz，20A/m下，非晶磁粉芯的磁导率为45，总损耗为6mW/cm3。　　 ⑺磁场退火对非晶磁粉芯磁导率影响较小。纵向磁场退火能够增大非晶磁粉芯的总损耗，横磁场退火能够降低非晶磁粉芯的总损耗。　　 ⑻与传统的纳米晶磁粉芯制备工艺相比，改进的纳米晶磁粉芯制备工艺能够有效地能够提高磁导率，降低损耗，提高品质因数。提高磁性能的原因在于，改进的工艺能够较好的释放磁粉的内应力。　　 ⑼实验发现，纳米晶磁粉芯较好的磁粉粒度分布为：-500目占3.5％，-320～+500目占11.6％，-250～+320占25.8％，-200～+250占48.5％，-150～200目占5.2％，-100～+150占5.7％。运用该粒度分布，制备出的磁粉芯具有较高的磁性能：在1.6A/m，8000kHz下，磁导率61，总损耗为3.5 mW/cm3。　　 ⑽对FINEMET纳米晶磁粉芯的磁场退火研究发现：纵向磁场退火可有效提高磁粉芯的磁导率，横向磁场退火降低磁导率；横向磁场退火比纵向磁场退火更有利于降低磁粉芯的磁损耗，纵向磁场退火处理有利于综合性能的提高。