【摘 要】
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人工磁振子晶体是由两种（或以上）磁性材料在空间周期排列构成，是最近被关注的又一人工微结构复合材料．晶体的结构缺陷就是晶体点阵结构中周期性势场的畸变．正是由于缺陷的存在，才使
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人工磁振子晶体是由两种（或以上）磁性材料在空间周期排列构成，是最近被关注的又一人工微结构复合材料．晶体的结构缺陷就是晶体点阵结构中周期性势场的畸变．正是由于缺陷的存在，才使晶体表现出各种各样的性质，使材料加工、使用过程中的各种性能得以有效控制和改变，使材料性能的改善和复合材料的制备得以实现．就目前磁振子晶体复合材料的研究现状而言，该领域在很大程度上是空白区域，还有待于进一步深入探究．尤其是对于二维、三维磁振子晶体中含缺陷态性质的研究，目前在国内外还是空白，因此本文考虑了存在线缺陷的二维磁振子晶体的自旋波带结构，从影响自旋波色散关系的微观机理出发，进行理论模拟的计算．本文在超原胞近似下，利用平面波展开法数值计算了含线缺陷结构的二维磁振子晶体带结构及部分缺陷模的磁化强度场分布．研究结果表明，线缺陷结构的引入会在禁带中产生一个小范围的通带，即产生线缺陷模.该模式的存在可使自旋波沿着线缺陷结构的方向传播，利用此性质含线缺陷结构的二维磁振子晶体材料可应用于自旋波导波器件的制作材料．
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