ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体材料,它具有比GaN更高的激子束缚能,容易实现室温紫外受激发射,在紫光发光（激光）二极管、薄膜晶体管、紫外探测器等领域有广阔的应用前景。目前,国内外许多学者已经在开展以ZnO为有源沟道层的薄膜晶体管的研究工作。这种薄膜晶体管的优点是：制备温度较低,对衬底材料要求不高;而且可以制作成全透明的薄膜晶体管,如果将其应用于有源矩阵液晶显示器（AMLCD）中,将降低TFT-LCD的工艺复杂性和生产成本,并可以增强器件的可靠性。本实验中采用脉冲激光沉积（PLD）方法通过优化工艺和生长条件在SiO₂/Si和Al₂O₃衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。制备如此高质量的ZnO薄膜为实现ZnO基光电子器件打下良好基础。同时,根据目前ZnO-TFT的研究现状和本课题组的现有条件,设计了一种结构合理的ZnO-TFT,即先在p型Si（111）衬底上生长SiO₂绝缘层,然后用脉冲激光沉积方法在绝缘层上生长ZnO薄膜,最后用真空蒸发镀膜和光刻剥离技术在ZnO上制备源漏电极来形成导电沟道。电学测试发现,该晶体管工作在n沟道增强模式,显示了较好的饱和特性和夹断特性,电流开关比约为10³,阈值电压为13.2 V,电子的场迁移率达到1.02 cm²/Vs,此ZnO薄膜晶体管为实现ZnO基晶体管器件的应用提供了一种简单可行的方法。研究初期,我们试图测试来实现CdS_xSe_1-x量子点的电致发光,进而制备出CdS_xSe_1-x量子点光电器件。由于我们的量子点颗粒不够致密,导致不能够制作相应的器件,但对CdS_xSe_1-x量子点的变温光致发光（PL）特性进行了细致研究。研究发现当温度从10 K上升到300 K的过程中,变温PL谱中的发光峰位置红移,半高宽变宽,并且在180 K-200K范围内PL积分强度出现了反常的增加现象,我们对这一现象进行了定性分析。同时,利用室温下的PL谱线和Varshni公式,也定量给出了Varshni公式中对于CdS_xSe_1-x量子点的参数：α=（3.5±0.1）10^-4 eV/K,β=210±10 K。最后,利用Vegard定律、XRD以及室温PL谱的结果,通过计算得出了CdS_0.9Se_0.1量子点中S:Se的比例。实验中得到的这些结果对于进一步实现CdS_xSe_1-x量子点在光电方面的应用具有一定的意义。