CuInSe2薄膜太阳能电池材料Al、S掺杂研究

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【摘要】

：

Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2型黄铜矿化合物CuInSe2(CIS)体系因其结构的特殊性以及较高的光电转换效率而受到世界各地研究人员的广泛关注。但是由于纯CuInSe2的带隙(1.04eV)距离理想带隙1.5eV较远,人们想通过掺杂提高材料的带隙以提高其光电转换效率。比如,用Ga元素取代CuInSe2中的In元素而得到Cu(InxGa1-x)Se2可以提高带隙,并且可以减少稀有元素In的使用。纯CIS室温下是黄铜矿

【作者】

：

朱郑鑫

【机构】

：

兰州理工大学

【发表日期】

：

2013年04期

【关键词】

：

第一性原理晶格结构光学性质介电函数 HSE06

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