普通多孔硅中发光强度低、发光衰减和峰位蓝移等是该材料应用于制备硅基发光器件前所必须解决的关键问题.该文针对上述问题发生的根源,发明了多孔硅的原位铁钝化水热制备新技术,从而获得了发光强度强、发光不衰减、峰位不蓝移的铁钝化多孔硅,并由此得到了一些新的研究结果.1.多孔硅的原位铁钝化水热制备新技术.利用压强在液体中传递的各向同性原理,水热制备技术提供了一个均匀的腐蚀环境.水热腐蚀过程通过在样品表面形成局域阳极和局域阴极来完成,硅的溶解发生在局域阳极,而硅纳米微晶的原位铁钝化来自于腐蚀液中Fe<3+>在局域阴极附近被还原.如此制备的铁钝化多孔硅样品具有很高的硅纳米微晶面密度;2.发光强度强、发光不衰减、峰位不蓝移的铁钝化多孔硅.铁钝化多孔硅的发光峰位在空气中存放、退火过程中都保持不变,没有观察到普通多孔硅在上述过程中所发生的发光峰位蓝移的情况.该方法制备的铁钝化多孔硅克服了目前国际上多孔硅发光强度低、发光衰减、峰位蓝移的难题,以上两部分工作发表在Phys. Rev. Lett.上;3.