【摘 要】
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频率合成技术是指以一个或少量的高准确度和高稳定度的标准频率作为参考频率,经过电路变换产生频率可变、频谱纯度较好、稳定度较高的频率源的技术.在通信、测控、仪器仪表等
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频率合成技术是指以一个或少量的高准确度和高稳定度的标准频率作为参考频率,经过电路变换产生频率可变、频谱纯度较好、稳定度较高的频率源的技术.在通信、测控、仪器仪表等电子系统中广泛存在着作为系统频率源的频率合成器.压控振荡器是频率合成器中的核心器件,由它产生系统所需的振荡频率.它有振荡频率范围、相位噪声等关键技术指标.集成电路(Integrate Circuit)是将电路中的分立有源器件(二极管、晶体管等)、无源器件(电阻、电容、电感等)以及互连线一起制作在半导体衬底上,形成一块独立不可分的整体电路.集成电路的制作工艺主要有双极型与MOS型两类.双极型集成电路具有速度快、稳定性好、负载能力强等特点,在模拟集成电路尤其是微波集成电路中具有广泛的应用,这种工艺的缺点是功耗大、集成度较低;MOS型集成电路尤其是CMOS集成电路具有功耗低、易集成、可等比例缩小等优点.目前采用CMOS工艺的集成电路成为整个半导体集成电路的主流技术.本文对应用于频率合成器中的CMOS负阻抗型压控振荡器进行了电路结构分析,研究了负阻抗型振荡器的起振条件与平衡条件,分析了片上电感与可变电容的原理与等效电路模型,分析了电路的工作原理并提出了改进振荡器相位噪声性能的方法.基于TSMC 0.25um CMOS工艺对所设计电路在Cadence软件中进行了原理图仿真,版图设计,以及参数提取和后仿真.
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