Ga2O3是一种宽禁带化合物半导体材料。除了优异光电特性外,Ga2O3材料还具有良好的热稳定性和化学稳定性。其中,单斜晶系的?-Ga2O3薄膜在深紫外区域高度透明,其透过率能达到80%以上,具有制备深紫外透明导电薄膜的天然优势。同时,Ga2O3材料还表现出良好的气敏特性,是制备高温氧敏器件的候选材料,因而成为当前的一个研究热点。随着现代半导体光电探测技术的不断发展,红外探测技术因红外线能够穿透大气层而受到自然环境的干扰比较严重,容易发生虚报误报。而紫外线尤其是日盲紫外(200-280 nm)在进入大气层时被臭氧层吸收,所以日盲紫外探测可以消除干扰的顾虑,实现高效精准的探测,使其在航天、军事及民用领域均有广泛的应用需求。本论文研究了Ga2O3材料的结构特点、基本性质、制备工艺等,并对其在现代信息技术材料领域的应用进行了综述和展望。磁控溅射是一种低温高速薄膜沉积工艺,与其他几种薄膜制备方法比较有成膜质量高,成本低的优势。根据现有的实验平台,采用射频磁控溅射技术生长了Ga2O3薄膜,并对样品进行了相关热处理,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计以及荧光光谱仪等技术手段分析了?-Ga2O3薄膜的表面形貌、结构特点以及光学性质等。研究了制备工艺的变化以及热处理方法对Ga2O3薄膜性质的影响,得出采用射频磁控溅射法制备?-Ga2O3薄膜的最优工艺参数。在制备薄膜的基础上,采用真空蒸发法为薄膜制备金属叉指电极,利用欧姆接触制成MSM结构探测器件,利用254 nm汞灯、405 nm激光器以及探针台、半导体参数仪等测试分析了样品的光电响应特性,并对工艺参数对?-Ga2O3薄膜光电特性的影响进行了初步研究,得到了光暗电流比为5×103的薄膜探测器样品。同时,采用普通化学气相沉积技术(CVD)生长了Ga2O3纳米材料,并对其表面形貌、结构特性等进行了表征,分析了工艺条件对纳米材料性质的影响。