目前,PeLED器件的研究已经取得很大进步,但是相比于OLED器件,PeLED的稳定性和效率仍然存在很大的提升空间,同时,器件寿命也无法满足实际应用的要求。本论文主要从改善CsPbBr₃薄膜形貌和促进阴阳两极载流子注入平衡两方面入手,提升PeLED器件性能。具体方案如下:首先,在全无机钙钛矿CsPbBr₃中添加路易斯碱mCP,通过二者的路易斯酸碱反应,有效提升钙钛矿薄膜质量,当CsPbBr₃:mCP=1:0.1时,最佳PeLED器件启亮电压为3V,亮度为21008cd/m²,电流效率和外量子效率为3.74cd/A和1.21%,证明了有机小分子辅助法对PeLED器件性能的积极作用。其次,在CdSe/ZnS中掺杂适量有机分子mCP。小分子能有效填充于量子点空隙,改善发光层质量。最佳器件亮度为10698cd/m²,相比于基础器件,亮度提升了2.0倍;最大电流效率为18.1cd/A,比基础器件提高1.8倍左右,有效证明了小分子辅助法的可行性。再者,在CsPbBr₃中掺杂空穴传输材料PVK,使CsPbBr₃镶嵌于聚合物的三维网状结构中,有效提升了钙钛矿形貌,最佳器件亮度由2339cd/m²提升到4266cd/m²,有效证明了聚合物交联法在PeLED器件中的可行性。最后,本文研究了阴极Al₂O₃薄膜的引入和器件内部Al₂O₃界面层的形成对PeLED器件性能的影响。实验证明,Al₂O₃处理能有效促进载流子平衡注入,相比于参照组,纯CsPbBr₃PeLED器件最大亮度由2064cd/m²提升到2801cd/m²,EQE由0.81%提高到1.08%;CsPbBr₃:mCPPeLED器件最大亮度由21008cd/m²提高到23313cd/m²,EQE由1.21%提高到1.50%。