本论文针对改善由Si和Ge之间晶格失配较大而导致的失配位错密度高、表面粗糙度RMS大等问题对Ge薄膜性能的影响，研究制备高质量的Si基Ge薄的方法。本论文利用磁控溅射技术，采用低温缓冲层方法减小Si和Ge之间的晶格失配，针对缓冲层厚度、生长温度、高温层生长温度和具有结晶核的缓冲层等因素对Ge薄膜性能的影响，进行了系统研究。论文主要工作内容如下:　　 1、针对低温缓冲层方法中，研究缓冲层厚度和高温退火对低温Ge缓冲层表面形貌和结晶性的影响。实验结果表明:相比较同样利射频溅射制备650℃退火后的其它厚度缓冲层，30 nm厚的Ge缓冲层表面粗糙度RMS为0.65 nm，Raman光谱检测表明结晶性较好。在其上制备的Ge薄膜表面粗糙度RMS为2.06nm。利用直流溅射技术，参考射频实验结果，研究缓冲层厚度和高温退火对低温Ge缓冲层表面形貌和结晶性的影响，验证了射频磁控溅射生长实验的结论。　　 2、利用直流磁控溅射技术，研究低温Ge缓冲层厚度、生长温度及高温层生长温度对Ge厚膜性能的影响。实验结果表明:低温Ge缓冲层厚度为60 nm、生长温度为350℃、高温层生长温度为650℃时，Ge薄膜表面粗糙度RMS为0.62nm，其Ⅰ-Ⅴ特性曲线正向部分的斜率达到最大，表明薄膜的载流子迁移率达到最高。　　 3、基于低温Ge缓冲层方法，研究对Ge缓冲层进行周期性应力调制对Ge薄膜性能的影响。经AFM、Raman光谱和XRD检测显示，高温层生长温度为750℃时，Ge薄膜结晶质量得到提高，表面粗糙度RMS增大至11.03 nm。实验表明:缓冲层中结晶核密度大、尺寸小为基础所制备的Ge薄膜结晶性优越。结晶质量的提高在一定程度上减小了薄膜复合氧缺陷的密度。