【摘 要】
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激光剥离技术是现阶段获得紫外LED外延片的热门方法,它在获得异质外延片的过程中有其它蚀刻方法所不具备的优势。本文研究了不同激光脉冲对GaN材料的影响,获得了准分子激光在
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激光剥离技术是现阶段获得紫外LED外延片的热门方法,它在获得异质外延片的过程中有其它蚀刻方法所不具备的优势。本文研究了不同激光脉冲对GaN材料的影响,获得了准分子激光在异质外延膜剥离过程中的作用参数。针对紫外发光GaN外延膜提出了不同的剥离方法,以及现在阶段用激光剥离技术生产紫外发光二极管的实际应用,并对剥离前后GaN膜的光学性质进行了分析。获得了准分子激光剥离的最佳条件。通过600mJ/cm2,38ns,10Hz,248nm的KrF准分子激光器得到直径7.5mmm的GaN外延膜。研究了剥离后薄膜表面的粗糙度,以及解决粗糙度的方法。
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