闪锌矿GaN微米棒合成及其单根微米棒同质结LED构筑

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氮化镓(GaN)具有直接宽禁带隙、高迁移率、高热稳定性和优异光电性能等优点。最近由于闪锌矿结构的GaN比纤锌矿GaN具有更高的晶体对称性、更低的声子散射,从而具有更高的电子迁移率、更高的发光效率等优点,使其在微纳光电设备的应用上有更大的吸引力,已经引起越来越多的关注。而GaN微纳米棒结合了GaN与微纳米材料的优点,拥有与准一维纳米线结构的优势而在可见光光电器件中广泛应用。特别是在固态照明中,与二维薄膜相比,以GaN微纳米棒为基础的LED具有更多潜在的优势。目前为了适应市场对微纳GaN基LED的需求,
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