近阈值时钟树的缓冲器插入策略设计

来源 :东南大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zeng007008
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
近阈值下时钟树设计包括拓扑设计和缓冲器插入。在近阈值下,由于晶体管延迟及其波动相比常电压显著增加,为了获得更高性能的时钟树,其拓扑设计通常采用对称时钟树结构。而缓冲器的插入设计成为进一步优化时钟树各项指标的关键。目前,相关课题的研究主流的做法是在限定了缓冲器尺寸的前提下,探索插入位置的最优解。而本文认为:限定缓冲器的尺寸后再做缓冲器限制了时钟树各个指标提升的空间,面向缓冲器库的联合优化缓冲器尺寸和缓冲器插入位置有望获得更好的时钟树设计结果。基于以上观点,本文实现了一种针对近阈值场景的缓冲器插入策略设计。在该策略设计中,本文首先利用对称时钟树生成算法获得不插缓冲器的初始拓扑,作为本文缓冲器插入策略的输入结构。在缓冲器插入阶段,本文将面向缓冲器库的缓冲器插入问题形式化为最小化时钟偏差波动的整数规划问题。在对该问题建模过程中,本文首先改进了对称时钟树偏差波动模型,通过引入缓冲器延迟/延迟波动的相关系数矩阵使得该模型可以应用于本文的缓冲器插入问题。然后,把时钟偏差波动作为缓冲器插入问题的优化指标,并通过遗传算法求解。最终,通过迭代,得到了缓冲器插入策略的最优解。最优解表示的是每条时钟路径上缓冲器的插入位置和缓冲器的尺寸。本文从opencores上选取4个设计作为基准电路,利用IC Compiler在SMIC 40nm工艺库环境下完成到布局的步骤。用本文提出的针对近阈值的缓冲器插入策略设计进行了实验,并通过spice仿真器获得了它们在0.6v下的时钟偏差的期望和方差。实验结果和相关课题及商业工具IC Compiler 2016.03的时钟树综合完成对比。结果显示:与商业工具相比,60))平均减少了21.69%,60))平均减少了7.7%,缓冲器面积减少了6%,功耗基本保持不变。互连线使用增加了106%。相比复现的DP-DME算法,60))平均减少了31.2%,60))增加了8%。整个流程的算法复杂度相比DP-DME有所增加,但在可接受范围内。
其他文献
学位
学位
学位
学位
电子战是一种对国家安全和人民安居至关重要的现代高技术的军事行动,其力量的强弱代表着一个国家的军事实力水平。雷达是电子战系统重要的组成部分之一,在越来越严峻的电磁环境背景下,宽带多功能相控阵体制雷达已成为先进雷达的重要发展方向。相控阵天线作为相控阵雷达与工作环境间的转换器,也必将沿着宽带宽角、多极化等方向飞速发展,这是确保天线系统高性能工作的关键技术,也是目前研究的热点和难点问题。因此本文着重研究了
学位
具备耐压能力强、高频性能、易集成等诸多优点的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS),在功率集成电路中得到了广泛使用。近年来,人工智能、新能源、5G通信等高新技术的快速兴起,推动LDMOS器件向高耐压、低功耗方向进一步发展。但是传统LDMOS器件受限于硅材料的理论极限,无法满足应用系统对低导
学位
学位
在现代社会,材料化学中新分子探索已经成为热门话题,而材料创新是许多近期技术进步的关键驱动力。化学和材料科学领域的研究一直在不断发展,以开发出具有新颖用途、更低成本和更好性能的化合物。本文围绕基于深度学习的分子图生成对分子生成及目标优化任务展开研究,着力于提高生成分子和目标优化的性能。本文的主要工作如下:首先,分析了分子的两种表示形式:文本表示法和图表示法,对比讨论了它们的机制、特点以及优缺点。介绍