本论文用石墨来模拟放射性石墨，以硅和石墨为原料，通过固相反应合成SiC粉体，采用反应热压烧结技术制备SiC固化体，利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电子能谱(EDS)、比表面积(BET)、激光粒度分布等分析手段，研究了煅烧温度、球磨时间、保温时间、SiC晶种剂等因素对SiC粉体合成的影响，以及烧结温度、坯体致密程度、加压制度、保温加压时间等因素对SiC固化体烧结的影响，探讨固相反应合成SiC的反应机理。　　结果表明:硅-碳直接反应合成SiC为硅和碳的相互扩散及硅的蒸发-扩散控制的非均相固相反应，硅的蒸发-扩散对合成SiC的反应速率有较大影响;烧结过程中较高致密度的坯体，合成SiC的反应速率较低;硅颗粒表面的第二相（如SiO2）会严重影响硅和碳的相互扩散，降低反应速率;硅和石墨的颗粒大小会影响SiC晶粒的大小，原料颗粒越细，合成SiC的晶粒越小;掺入SiC晶种剂，对SiC的合成反应没有明显影响;硅和石墨完全反应生成SiC粉体的较佳煅烧条件为1330℃保温120min;在反应热压烧结过程中，采用先反应后加压的烧结制度有利于SiC的合成;烧结温度对SiC的合成及烧结有较大影响，烧结温度越高，合成SiC的反应速率越快，过高的烧结温度(＞1350℃)，会造成大量硅的挥发损失;反应热压烧结SiC的较佳烧结制度是1350℃、保温加压6h。