该论文的主要内容是对两种新结构微波晶体管和一种新结构硅光电晶体管进行了研究.赝配调制掺杂场效应晶体管(pMODFET)是一种应用广泛的低噪声微波器件,但是传统结构的pMODFET器件外延片需要很厚的过渡层(一般要求1μm的GaAs过渡层),增加了外延生长时间,并浪费了宝贵的MEB材料源,提高了生产成本.针对这个问题,我们提出了一种新型pMODFET外延结构.异质结双极晶体管(HBT)是另一种很有发展前途的微波器件,尤其是在功率放大器方面应用广泛.但是大电流下器件的发射极电流集边效应十分严重,过去只能靠减小条宽和增大发射极边长的方法来克服,增加了工艺复杂性.在新结构HBT中,我们发现利用发射区中生长轻掺杂的垂直镇流电阻层可以克服这种效应,并对传统无外延垂直镇流电阻层结构和含有垂直镇流电阻的新结构HBT的发射极电流集边效应进行了分析和计算,同时做了对比器件实验.计算和实验结果都表明,新结构HBT的垂直镇流电阻对抑制发射极电流集边效应非常有效,大电流下发射极电流密度的分布仍十分均匀.最后,针对在弱光下几种常用的半导体光电探测器的不足,我们首次提出并实现了一种新型具有穿通基区的硅光电晶体管探测器(Si-PTPT).