触摸屏诞生于1970年，是一种与电脑或其他电子产品交互的最简单，最直接的方法。在触摸屏出现的多年里，由于技术方面的限制，其应用范围有很大的局限性，直到2007年iphone的出现才改变了一切，由原来的电阻式单点触控升级到电容式的多点触控，选材上采用刚性盖板玻璃，触摸上无压力直接轻触而非点压力触摸，光透过率性能上超过了90％，大大提高了屏幕的耐久性和灵敏性，时尚优雅的精美外观等提供给用户多样化的全新使用体验。此后，电容触摸屏得到了极大得发展。　　传统智能手机是由盖板玻璃(cover lens)和触控玻璃(touch panel sensor)两块贴合而成，并且通常是在盖板玻璃表面丝印油墨，在触控玻璃面进行磁控溅镀薄膜光刻电路图案。　　随着智能化的普及，超薄便携式高端智能手机市场竞争日益激烈，“更薄更轻低成本高品质”成为了触控厂商和面板厂商关注点。OGS(one glass solution)触摸屏结构将盖板玻璃(cover lens)和触控玻璃(ITO sensor)合二为一。简单的来说，OGS就是在保护玻璃上直接形成ITO导电膜及传感器的一种技术。一块玻璃同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用。　　和传统电容式触摸屏相比，OGS电容触摸屏的制作工艺基本相同，唯一的不同之处在于OGS触摸屏所需要的镀膜条件更加苛刻，ITO镀膜需要在一种油墨层上进行真空磁控溅射镀膜，由于油墨不耐高温，不适合高温的磁控溅射环境，所以在低温下磁控溅射镀膜成为智能手机未来发展中的一项非常重要的关键技术。　　为了制备OGS所需要的ITO薄膜，本文就影响ITO薄膜的二个重要工艺参数:基底温度、溅射功率进行优化，找到制备OGS所需ITO的最优制备条件。　　将400*500*0.7mm丝印过油墨的玻璃基片装载到基片架滑入真空镀膜室，镀膜靶基距为15mm。镀膜室的本底真空度2.5×10-4Pa，氩气流量200sccm，氧气流量为Osccm，调节真空室气体压强至3.6×10-1Pa，生产节拍设定560mm/min，镀膜节拍230S。　　采用低温直流磁控溅射法针对附有有机聚合物玻璃制备ITO薄膜，通过四探针、紫外可见分光亮度计、台阶仪器对样品进行表征，研究了基底温度、溅射功率对ITO薄膜光电性能影响。　　实验结果表明，随着基底温度的增加方块电阻先下降后增加，透过率先增加后略微减少;随着溅射功率的增加，薄膜方块电阻减少，透过率降低。低温直流磁控溅射法镀膜最佳工艺参数为氨气流量200sccm，溅射气压0.36Pa，溅射功率3.9KW，基底温度200℃-230℃，参数制备的ITO薄膜在可见光区平均透过率可达到85.1％、方阻为62Ω/口，可以满足生产的要求。