随着化石能源的日益枯竭,发展和利用可再生能源特别是太阳电池已成为世界各国经济中的重要课题。在各类太阳电池中,多晶硅薄膜太阳电池因兼具低材料消耗、低成本和性能稳定、长寿命的双重优点、以及可借鉴微电子器件的成熟工艺而备受瞩目。多晶硅薄膜太阳电池通常制备在异质衬底上,由于异质衬底与多晶硅薄膜的热膨胀系数及晶格常数不匹配,因而在制备多晶硅薄膜之前,需要在异质衬底上首先沉积一层高质量的多晶硅薄膜作为籽晶层。多晶硅薄膜籽晶层的结构性质对后期多晶硅薄膜太阳电池性能有着至关重要的影响。本文采用磁控溅射和快速热退火(RTA)技术在石墨衬底上制备多晶硅薄膜籽晶层,系统地研究了不同衬底温度、不同RTA退火温度和退火时间对石墨衬底薄膜多晶硅籽晶层结构性质的影响。并利用X射线衍射(XRD),以及拉曼光谱(Raman)对多晶硅薄膜籽晶层结构性质进行了表征与分析。取得的主要成果如下：1.利用磁控溅射和RTA技术在石墨衬底上制备出了多晶硅薄膜籽晶层样品。首先利用磁控溅射在石墨衬底上直接沉积硅薄膜,然后利用RTA技术对其晶化。通过XRD和Raman测试分析表明,直接沉积的样品为非晶态,而RTA晶化后样品已由非晶态转为多晶态,可以作为生长多晶硅薄膜的籽晶层。2.RTA过程中,通过XRD分析发现,增加退火温度和延长退火时间能够提高多晶硅薄膜籽晶层Si(220)晶面择优取向。3.磁控溅射过程中,衬底温度对于多晶硅薄膜籽晶层Si(220)晶面择优取向和结晶化程度有着重要的影响。研究发现了形成Si(220)晶面择优取向和使晶化程度明显提高的临界温度(700℃)。当衬底温度高于临界温度时才能更好的形成Si(220)晶面的择优取向和使晶化程度得到明显提高。利用成核理论和能量最低原理对这一现象进行了合理的解释。