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三维有序大孔氧化钨基气敏材料的制备及性能研究
【摘 要】
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氧化钨具有禁带宽度小、导电性能好和非计量化学特性,是良好的半导体氧化物气敏材料。为了改善单一氧化钨的气敏性能,科研人员不断尝试结构设计、组分改性等新方法、新策略。本论文通过结构调控和过渡金属及贵金属的负载改善氧化钨的表面、电学性质,从而提高其对二甲苯的气敏性能。具体研究内容如下:1、通过胶晶模板法制备了三维有序大孔氧化钨,利用钴、镍、铜、铂的负载改善其对二甲苯的气敏性能。结果表明:非贵金属钴、镍、
【机 构】
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北京化工大学
【出 处】
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北京化工大学
【发表日期】
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2019年01期
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