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随着低成本的标准CMOS工艺尺寸的不断缩小，最高工作频率已经可以满足射频集成电路的需求，国内外很多机构已经研究CMOS工艺实现射频电路。但是802.11b的CMOS射频发送器很少见，主要因为协议要求的高线性度CMOS功率放大器效率难以提高，发送器模块相互影响。本论文的主要工作是设计了一款基于CMOS工艺802.11b发送器集成电路芯片，主要包括系统参数的确定，系统架构的选取，具体电路的设计，版图的设计等几个部分。电路模块包括Butterworth低通滤波器，2.45GHz正交上混频器，两级AB类线性功率放大器，基带放大器，正交分频器，带隙基准，偏置电路等模块。论文重点和创新点在于两级AB类功率放大器的设计部分。论文首次提出了两级AB类功率放大器输出级电路设计方法学，给出了可行的设计流程；AB类功放的两级均采取了线性化方法，其中驱动级为A类线性放大器，利用A类放大器与C类放大器的线性度补偿特性，对驱动级进行了线性度提高；在输出级采用AB类放大器，提出了基于晶体管强弱非线性模型的AB类功率放大器工作点优化设计方法，实现了功放输出级的最大线性化。上混频器采用了双平衡吉尔伯特结构来消除载波泄露，低频输入管采用源级负反馈来增加线性度。芯片采用Butterworth三阶低通滤波器，给出了利用反相积分器实现LC原型滤波器信号流图的方法，完成了有源RC低通滤波器的设计，带通截止频率为11MHz，通带内群延时小，这一设计方法对其他有源滤波器的设计有指导意义。芯片采用SMIC的0.18um CMOS工艺来实现，完成了电路设计和版图设计，测试正进行中。仿真结果显示，仿真结果显示射频发送器输出三阶交调点为32.8dBm，最大发送功率16dBm，功率放大器效率达19%，整个芯片消耗112mA电流；在输入QPSK调制信号的情况下，发送器输出可以满足802.11b的频谱罩要求，星相图没有畸变。