多孔介质在工农业和日常生活中到处可见。如催化剂,吸附剂,薄膜,传感器和波导管等。随着超大规模集成电路(ULSI)的发展,需进一步降低集成电路的特征尺寸,以增加其元件密度,当集成电路的特征尺寸降低到0.25μm时,这时器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的延时、串扰、功耗已经成为限制器件性能的主要因素。为了提高电路性能,需要具有较低介电常数的新的材料来代替传统的二氧化硅(k=4.0)。由于空气的介电常数为1,所以可以采取在介质中引入孔隙的办法来降低其总的介电常数。然而对于多孔低K电介质,其介电常数的研究都是基于在理想球体孔的模型上的,这对于真实材料来说,有一定的局限性。为了更好的模拟真实多孔材料,本文采用自相似分形模型来研究多孔介质的相对介电常数。本文第一部分首先对电介质等基本概念和理论做了简要介绍,然后,对分形理论的一些基本理论基础做了简单的说明。接着运用自相似分形模型,也就是谢尔宾斯地毯模型对多孔超低K电介质进行了模拟,并分析了其介电常数等。通过与实验数据的比较,我们发现实验数据与根据该理论所得的结果是比较吻合的。这也证实了该模型的有效性。