光子集成技术是光纤通信最前沿、最有前途的领域,它是满足未来网络带宽需求的最好办法。光子集成芯片与传统的分立OEO(光电光)处理相比,降低了成本和复杂性,具有小型化、小功耗、高功能、高可靠性的优点,必将构建一个具有更多节点的全新的网络结构。在光子集成形成的光学模块中,器件之间通过材料生长、光刻制成的光波导实现连接,不仅省去了光纤与芯片之间繁琐的对准和耦合过程,而且可以降低损耗,提高封装的可靠性。本论文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)分别对光波导中无源部分的n-InP、InGaAsP波导层、p-InP、欧姆接触层(p-InGaAs)进行了生长,并通过电化学电容电压剖析仪(ECV)、光荧光谱仪(PL)、X射线双晶衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)等仪器对外延材料生长质量进行了测试分析,最终为整个波导结构的生长提供了高质量的外延材料,此外还进行了InGaAs P/InP量子阱的生长测试,达到了设计目标,为后期有源波导层的生长以及集成奠定了基础。针对先前ECV腐蚀溶液在对InP基半导体材料载流子浓度测试时出现的问题进行了分析,找出了替代腐蚀液,使得测试效率与之前相比有大幅度提高。