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本硕士论文是基于国家科技部重点基础研究发展规划项目（973项目）子课题“硅基宽带隙异质结构材料生长及器件研究”（2000年10月—2005年9月，No．G20000683-06）和国家自然科学基金（No．60046001）的一部分研究工作。 GaN是直接跃迁的宽带隙材料，具有禁带宽度大（3.4eV，远大于Si的1.12eV，也大于SiC的3.0eV），电子漂移饱和速度高，介电常数小，导热性能好等特点，在光电子器件和电子器件领域有着广泛的应用前景。GaN材料与金属欧姆接触的性能对器件有着重要的影响。低阻欧姆接触是GaN基光电子器件所必需的。例如对于LD，电极的接触电阻率要求在10-4Ω·cm2以下。 本论文分析了国内外GaN基光电子器件研究的历史和现状，重点对金属与n型GaN的欧姆接触进行了研究。在此基础上，在蓝宝石基和Si基GaN上制作了MSM结构光导型探测器，并对MSM探测器的结构进行了优化。 主要工作如下： 1．研究了Al单层电极及Ti／Al双层电极与蓝宝石基GaN在不同退火条件下的欧姆接触情况，并用X射线衍射谱（XRD），二次离子质谱（SIMS）对界面固相反应进行了分析。并建立了一套欧姆接触电阻率测试系统。 2．研究了表面处理对n-GaN上无合金化的Ti／Al电极起的作用，比较了（NH4）2Sx溶液和CH3CSNH2／NH4OH溶液两种不同的表面处理方法对GaN材料光致发光谱（PL谱）以及Ti／Al电极欧姆接触性能的影响。在用CH3CSNH2／NH4OH溶液处理过的样品上制作的无合金化的Ti／Al电极，可得到较低的4.85～5.65×10-4Ω·cm2的接触电阻率，而且材料的发光特性也有明显提高。 3．在蓝宝石基和Si基GaN上分别制作了MSM结构的光导型紫外探测器。测试了光响应度等参数。 4．利用Matlab软件对MSM结构的电场进行模拟，对MSM结构几何参数进行了优化。