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目的本研究以雌性ICR小鼠为实验对象,观察不同浓度氧化钕纳米经鼻滴注45天,对小鼠学习记忆的影响,并探讨其可能机制。本研究旨在探讨纳米氧化钕对小鼠神经系统的影响。方法选取健康的ICR雌性小鼠200只随机分为空白组、对照组、低剂量组（L-nm）、中剂量组（M-nm）和高剂量组（H-nm）,每组40只。采用滴鼻染毒法,低、中和高剂量组小鼠分别予剂量为50、100、150 mg/（kg·d）体质量的纳米氧化钕（粒径<100 nm）染毒,对照组予等体积生理盐水,空白组无任何干预,予以正常饲养,染毒45天。采用水迷宫实验和跳台实验检测小鼠的空间学习和记忆能力。分离小鼠脑中嗅球、海马、皮层,使用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）检测各部位钕元素含量。应用HE染色观察染毒后小鼠海马和皮层形态学改变,免疫组化染色检测小鼠皮层GFAP表达变化。采用酶标仪检测脑组织中海马和皮层中丙二醛（MDA）水平和超氧化物歧化酶（SOD）活力,以及流式细胞仪检测组织细胞中的ROS量,分离海马和皮层组织通过高效液相色谱检测各组织中谷氨酸（Glu）、甘氨酸（Gly）、γ-氨基丁酸（GABA）、多巴胺（DA）,采用Western-blot检测小鼠脑皮层中GFAP的表达水平。结果（1）在水迷宫实验中,定位航行实验,与对照组和空白组相比,50 mg/kg纳米氧化钕组、100 mg/kg纳米氧化钕组、150mg/kg纳米氧化钕组小鼠在训练第三、四、五天逃避潜伏期延长,具有统计学意义（P<0.05）。在空间探索实验中,与对照组相比,100 mg/kg纳米氧化钕组、150 mg/kg纳米氧化钕组平均穿越平台次数减少。与对照组和空白组相比,50 mg/kg纳米氧化钕组、100 mg/kg纳米氧化钕组、150 mg/kg纳米氧化钕组平台象限游程缩短,具有统计学意义（P<0.05）;（2）在跳台实验中,与对照和空白组相比,50 mg/kg纳米氧化钕组、100 mg/kg纳米氧化钕组、150 mg/kg纳米氧化钕组在训练第三天、第四天错误次数增加,具有统计学意义（P<0.05）。（3）ICP-MS检测小鼠大脑钕元素含量结果:与对照组和空白组相比,50 mg/kg纳米氧化钕组、100 mg/kg纳米氧化钕组、150 mg/kg纳米氧化钕组嗅球中钕含量明显增加。与对照组和空白组相比,150mg/kg纳米氧化钕组皮层中钕含量明显增加。与对照组和空白组相比,100 mg/kg纳米氧化钕组、150 mg/kg纳米氧化钕组海马中钕含量明显增加。具有统计学意义（P<0.05）;（4）小鼠脑组织病理学检查结果:各组之间小鼠大脑HE染色均未见明显的病理改变,免疫组化染色显示150 mg/kg纳米氧化钕组小鼠皮层GFAP阳性细胞明显增加（P<0.05）。（5）氧化应激指标结果:在小鼠皮层中,与对照组和空白组比较,50 mg/kg纳米氧化钕组、100 mg/kg纳米氧化钕组和150 mg/kg纳米氧化钕组MDA水平均升高。与对照组比较,50 mg/kg纳米氧化钕组、100 mg/kg纳米氧化钕组和150 mg/kg纳米氧化钕组SOD水平均下降。与对照组和空白组比较,50 mg/kg纳米氧化钕组、100 mg/kg纳米氧化钕组和150 mg/kg纳米氧化钕组总细胞ROS平均荧光强度升高。差异有统计学意义（P<0.05）;在小鼠海马中,与对照组和空白组比较,100 mg/kg纳米氧化钕组和150 mg/kg纳米氧化钕组MDA水平均升高。与对照组比较,100 mg/kg纳米氧化钕组和150 mg/kg纳米氧化钕组SOD水平均下降。与对照组和空白组比较,50 mg/kg纳米氧化钕组、100 mg/kg纳米氧化钕组和150mg/kg纳米氧化钕组小鼠大脑海马中总细胞ROS平均荧光强度升高。差异有统计学意义（P<0.05）;（6）不同脑区神经递质含量:在皮层中,与对照组比较,150 mg/kg纳米氧化钕组小鼠大脑皮层中谷氨酸含量较高。与对照组比较,100 mg/kg纳米氧化钕组和150 mg/kg纳米氧化钕组甘氨酸、γ-氨基丁酸含量较高。与空白组比较,150 mg/kg纳米氧化钕组γ-氨基丁酸含量较高。差异有统计学意义（P<0.05）;在小鼠海马中,与对照组比较,150 mg/kg纳米氧化钕组皮层中谷氨酸、甘氨酸含量较高。与对照组和空白组比较,150 mg/kg纳米氧化钕组γ-氨基丁酸含量较高。与对照组和空白组比较,150 mg/kg纳米氧化钕组多巴胺含量较低。差异有统计学意义（P<0.05）;（7）GFAP表达:Western Blot显示,与对照组和空白组比较,100mg/kg纳米氧化钕组和150 mg/kg纳米氧化钕组染毒皮层中GFAP随着染毒剂量的表达增多。与对照组比较,50 mg/kg纳米氧化钕组皮层中GFAP随着染毒剂量的表达增多。差异有统计学意义（P<0.05）;结论纳米氧化钕可以降低小鼠学习记忆能力,其机制可能与纳米氧化钕进入中枢神经系统后,使中枢神经系统发生氧化应激反应,并增加GFAP的表达,改变不同脑区神经递质含量有关。