Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米复合发光材料的研究

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该论文主要研究内容如下:1.首先合成了不同粒度的ZnS、CdS纳米晶,并研究了不同组成的Zn<,1-x>Cd<,x>S纳米晶的发光性质,得到了不同于文献报道的实验结果.随着Cd含量的增加,发射光谱移向低能量方向,发射光谱的位置及强度均发生改变.2.首次研究了Co<2+>、Co<3+>、Ti<4+>、Ni<2+>离子掺杂的ZnS纳米晶的发光性质,并讨论了不同离子在ZnS纳米晶中的发光机理.3.首次利用均匀化学共沉淀法合成了Cu<2+>离子分别和稀土金属离子、Co<2+>、Fe<3+>、Mn<2+>、In<3+>、Pb<2+>、Cd<2+>共掺杂以及Ni<2+>和Mn<2+>离子共掺杂的ZnS纳米晶,并研究了它们的发光性质,得到了一系列创新性成果.4.首次把Tb<,2>S<,3>、Ti<,2>S<,3>、NiS、PbS纳米晶引入sol-gel 该论文主要研究内容如下:1.首先合成了不同粒度的ZnS、CdS纳米晶,并研究了不同组成的Zn<,1-x>Cd<,x>S纳米晶的发光性质,得到了不同于文献报道的实验结果.随着Cd含量的增加,发射光谱移向低能量方向,发射光谱的位置及强度均发生改变.2.首次研究了Co<2+>、Co<3+>、Ti<4+>、Ni<2+>离子掺杂的ZnS纳米晶的发光性质,并讨论了不同离子在ZnS纳米晶中的发光机理.3.首次利用均匀化学共沉淀法合成了Cu<2+>离子分别和稀土金属离子、Co<2+>、Fe<3+>、Mn<2+>、In<3+>、Pb<2+>、Cd<2+>共掺杂以及Ni<2+>和Mn<2+>离子共掺杂的ZnS纳米晶,并研究了它们的发光性质,得到了一系列创新性成果.4.首次把Tb<,2>S<,3>、Ti<,2>S<,3>、NiS、Ti<,2>S<,3>、NiS、PbS纳米晶掺杂试样SiO<,2>干凝胶中,得到不同粒度、均匀分布的纳米晶掺杂试样.5.有机发光材料与Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶复合是目前的研究热点之一,该文中,利用简单的化学合成方法合成了ZnS纳米晶与有机生色团分子组成的纳米复合发光材料,它们不仅有新的发射光谱,而且显示很高的相对荧光强度,这些性质对发光材料的实际应用及理论研究都是非常有价值的.ZnS/Dye1、ZnS/Dye2、ZnS/Dye3、ZnS/Dye4、ZnS/Dye5复合试样的发射光谱均显示一个对称的峰形,最大发射波长分别是:600、605、595、600、625nm,其中ZnS/Dye4的荧光强度约是纯ZnS纳米晶的确倍,约为Dye4的22倍,显然,这种新的发光源于ZnS和Dye4形成的新的复合结构.
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