MOS电容高频C-V特性测量广泛应用于全球的半导体制造行业和研究单位,为研究半导体表面的特性提供了一个非常有力的手段;SiGe材料由于具有迁移率高、禁带宽度小,与CMOS工艺具有较好的工艺兼容性等优点,成为制作高频、低温、低功耗器件的理想半导体材料。本文的主要任务是设计了一个MOS电容高频C-V特性的测试平台。结合本专业本科生专业实验课的实际情况,本文运用模块化的设计思想,本着结构简单、成本低廉、元器件方便购买的原则,设计了一种MOS电容高频C-V测试平台的硬件电路,包括其中的高频信号产生模块、电容检测模块、滤波模块、检波模块、电源模块等5个主要的功能模块电路,最后结合USB7333B多功能数据采集卡,将本测试平台调试成功。测试结果表明,在一定精度范围下,本测试平台能够对MOS电容高频C-V特性进行有效测量。本文还建立了应变SiGe沟道PMOSFET的阈值电压模型。首先建立了应变SiGe沟道PMOSFET的一维阈值电压模型。在此基础上,通过考虑沟道横向电场的影响,将其扩展到适用于短沟道的准二维阈值电压模型,与实验结果及二维数值模拟结果呈现出好的符合。利用此模型,模拟分析了各结构参数对器件阈值电压的影响,并简要讨论了无Si cap层器件的阈值电压。