低压低功耗LNA和混频器的设计

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20世纪90年代以来,随着IC特征尺寸的持续缩小,芯片密度和工作频率相应增加,降低电路的功耗成为IC设计关注的一个重点问题。随着亚微米、超深亚微米技术的发展和系统芯片SOC技术的日益成熟,低压低功耗技术更是受到了极大的关注。如何实现电路(尤其是模拟电路)的低压低功耗设计成为当今集成电路发展的一个重要方向。因此,针对低压低功耗技术对射频集成电路的研究和设计具有重要的现实意义。低噪声放大器与混频器是射频集成电路的一个重要组成部分,是无线收发机的核心模块,实现信号的上下变频以及信号的放大。本文主要设计了射频集成电路中的LNA和混频器,针对当今微电子技术的发展对射频集成电路提出的低压低功耗的要求,分别设计了新型的LNA和混频器。其中,本文基于经典的共源共栅结构,再结合LNA的主要技术指标,通过计算,获得最优化的电路参数,并运用射频仿真软件ADS(advanced design system)对电路进行了参数优化实现对低压低功耗LNA的设计。而在对低压低功耗混频器的设计过程中,以经典的吉尔伯特单元结构为基础,采用无尾电流源跨导级电路结构降低了跨导级和本振级直流电压降,并在输出负载网络采用折叠级联结构降低了输出负载级直流电压降,从而实现了整个电路的低压应用,达到低功耗的要求。接着,运用射频电路仿真软件ADS在1.5V TSMC 0.35μm CMOS工艺下分别对设计进行了电路仿真。同时对两个电路进行了级联进行了讨论与设计,同样在ADS的平台下给出了整体级联电路的仿真结果。仿真结果表明,本设计的LNA和混频器达到了低压低功耗的要求,其中级联的LNA和混频器电路的整体功耗仅为11.7 mW。最后,利用Cadence版图设计工具,按照版图设计流程完成了完整的版图设计。总而言之,本设计实现了射频集成电路的低压低功耗应用,适应当今集成电路发展的趋势。
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