基片集成波导（Substrate Integrated Waveguide,SIW）滤波器具有品质因数高、损耗小、尺寸小、易集成等优点,因此近年来被大量应用在实际工程中。如今,随着通信系统对滤波器性能要求的不断提高,高次模不再是被要求抑制掉的谐振模式。越来越多的研究表明,在滤波器设计过程中不仅可以利用多模谐振器设计双通带滤波器、双模滤波器,还可通过引入高次模构造交叉耦合,从而实现准椭圆滤波器,改善带外抑制特性。因此本文将重点研究高次模在SIW滤波器中的应用,并在充分调研了 Ⅴ波段SIW滤波器研究现状的基础上结合项目需求,研制了多款Ⅴ波段SIW准椭圆滤波器、SIW双通带滤波器和SIW双模滤波器。首先,本文基于物理交叉耦合和模式交叉耦合两种方法,探讨了高次模在SIW准椭圆滤波器中的应用,深入分析了有限传输零点的产生机制,并研制了四款SIW准椭圆滤波器。一方面,通过引入高次模,可以在单层结构中实现交叉耦合,简化了刻槽工艺,降低了加工难度。另一方面,有限传输零点的产生使滤波器的带外抑制特性大大提高,矩形系数明显改善。目前部分滤波器已成功应用在实际项目中。此外,本文还利用高次模研制了SIW双通带滤波器和双模滤波器。其中SIW双通带滤波器采用TE₁₀₁和TE₂₀₁模式,其结构简单,体积小且易于加工。而SIW双模滤波.器则有别于经典结构中采用TE₂₀₁和TE₁₀₂模式简并,尝试性地采用了 TE301和TE₁₀₂模式简并,使滤波器呈对称结构,降低了设计难度。实测结果表明,本文研制的SIW滤波器与仿真结果吻合度较好,有较大的工程应用价值。