半导体光放大器(SOA)作为光纤通信领域核心器件之一,在光纤通信领域得到了广泛的应用。相比普通SOA,多电极量子阱SOA在增益特性和动态特性方面有望得到改善,它在光纤通信领域有着极为广泛的应用前景。本文主要工作围绕双电极量子阱SOA展开,在电路模型和实际应用两方面做了以下工作:在理论模拟方面,本文基于标准载流子方程推导出了量子阱SOA的电路模型。由于电路模型在进行光电子器件模拟方面有着很多优点,利用电路仿真软件PSPICE对双电极量子阱SOA静态增益特性和动态增益特性进行了模拟分析,结果显示:在静态增益特性方面,前电极注入电流越大,增益越容易饱和;后电极注入电流越大,其增益越不容易饱和;在动态增益特性方面,前一极注入电流对其增益恢复时间影响较小,而后一极注入电流对其影响较大。在实验研究方面,针对原多电极SOA驱动电路平台存在的问题进行了分析和改进,并且在改进后的平台上进行了双电极SOA实验。实验结果验证了理论模拟的部分结果。另外,作者还完成了SOA大电流驱动平台的设计和制作。该平台可以为SOA提供更大的脉冲电流,最大脉冲电流可达到4.8A,频率达50kHz,温度控制精度达0.05℃。同时利用ATmega16单片机为核心的主从控制系统实现了SOA的过流和过温保护。