【摘 要】
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由于GaAs衬底与InGaAsSb的平均晶格参数存在7%的晶格失配,论文通过系列实验研究了GaSb、AlSb缓冲层技术:通过优化GaSb、AlSb缓冲层的Ⅴ/Ⅲ比、生长温度以及生长厚度等参数,得
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由于GaAs衬底与InGaAsSb的平均晶格参数存在7%的晶格失配,论文通过系列实验研究了GaSb、AlSb缓冲层技术:通过优化GaSb、AlSb缓冲层的Ⅴ/Ⅲ比、生长温度以及生长厚度等参数,得到质量较好的GaSb/AlSb/GaAs外延材料。实验证明在生长GaSb外延层的合适温度约为480℃;AlSb的生长过程中,较大的Ⅴ/Ⅲ比(优化值为20),合适的AlSb缓冲层厚度(1.2nm),有利于改善外延层晶体质量。在此基础上,本文设计和制备了AlGaAsSb/InGaAsSb单量子阱激光器材料,通过原子力显微镜(AFM)、霍尔效应(Hall effect)、光致发光谱(PL)等方法表征了材料质量,初步得到了激光器的激射特性,并探索锑化物外延生长和优化方法。为进一步制备高质量的激光器材料和器件打下了基础。
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