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目的：诱生型环氧化酶（COX-2）作为脑缺血后基因异常表达的产物,产生自由基和炎症介质的关键酶，成为缺血神经元氧化损伤死亡机制研究的热点。既往的研究已证实，局部和全脑缺血后COX-2可被不同程度、不同部位地诱导表达，参与了缺血性脑损伤的发生、发展。COX-2特异性抑制剂可减轻缺血性脑损伤，有脑保护作用。本文重点探讨诱生型环氧化酶在局部脑缺血再灌注损害中的表达规律，电刺激小脑顶核（FNS）的神经保护作用与其调节诱生型环氧化酶表达的关系，并阐明FNS对诱生型环氧化酶表达的调节机制。方法：健康雄性Wistar大鼠132只，体重250±30g，随机分为4组：（1）缺血再灌注（I/R）组；（2）电刺激小脑顶核（I/R +FNS）组；（3）毁损小脑顶核（I/R +FNL）组；（4）假手术对照（Sham）组。（3）组大鼠用鹅膏氨酸毁损两侧小脑顶核，（2）、（3）组大鼠均以电刺激器刺激左侧小脑顶核，（1）－（3）组大鼠用线栓法成功制作可复血流的MCAO模型，2h后再灌注。在再灌注后6h、12h、24h、48h将大鼠断头取脑。将上述各组、各时间点的动物均分为两部分，一部分以视交叉为中心切成两个2mm厚的脑片，进行COX-2免疫组化染色和HE染色，<WP=7>同时检测再灌注24h各组血清NSE水平；另一部分以视交叉为中心切成6mm厚的脑片，以胼胝体为腹侧界限取病变侧皮层提取RNA，RNA样品通过RT－PCR的方法检测COX-2mRNA的表达。结果：1、局部脑缺血再灌注损伤后COX-2表达的动态变化Sham组COX-2的免疫反应性（平均积分光密度OD值）处于低水平，免疫反应阳性细胞主要在大脑皮层；I/R组COX-2的免疫反应阳性细胞主要位于缺血周边区皮层，缺血中心区未见COX-2的免疫反应阳性细胞，与Sham组比较，I/R组COX-2的免疫反应性在缺血6h时已显著升高（P<0.001），随着缺血时间的延长，其免疫反应性平均OD值不断增高，至缺血再灌注24h达高峰，此后开始下降，48h 与12h 的COX-2的免疫反应性无显著差别（P>0.05），但仍较对照组高（P<0.001）。2、FNS对局部脑缺血再灌注损伤后COX-2表达、NSE水平的作用I/R +FNS 组再灌注各时相点的COX-2免疫反应性，均较相应I/R及I/R+FNL组各时相点的免疫反应性减低（P<0.05），而I/R+FNL组与I/R组的COX-2的免疫反应性无显著性差异（P>0.05）。I/R+FNS组NSE水平较I/R及I/R+FNL低（P<0.01）。3、局部脑缺血再灌注损伤后缺血皮层COX-2mRNA表达的动态变化Sham组COX-2mRNA处于低水平；与Sham组比较， I/R组<WP=8>COX-2mRNA在缺血6h已显著升高（P<0.001），随着缺血时间的延长，COX-2mRNA增高，至缺血再灌注12h达高峰， 24h开始下降，48h更低，但仍较对照组高（P<0.001）。4、FNS对局部脑缺血再灌注损伤后COX-2mRNA表达的作用I/R+FNS组再灌注各时相点的COX-2mRNA比I/R组及I/R+FNL组各相应时间点的COX-2mRNA均有不同程度的减低（P<0.05），而I/R+FNL组与I/R组各相应时间点的COX-2mRNA无显著性差异（P>0.05）。结论：1、局部脑缺血后，COX-2mRNA 、COX-2大量诱导表达，在缺血侧皮层COX-2mRNA表达12h达高峰， 缺血侧皮层半暗带COX-2表达24h达高峰，48h表达下降。2、电刺激小脑顶核可抑制COX-2mRNA和COX-2过度表达、降低NSE水平。3、小脑顶核毁损后，FNS对COX-2的抑制作用消失，说明电刺激小脑顶核对COX-2的抑制是通过小脑顶核实现的。电刺激小脑顶核对COX-2的抑制是电刺激小脑顶核中枢神经源性神经保护机制之一。